эквивалентная схема h-параметров

 

 

 

 

Рис. 1.2.14 Эквивалентная схема транзистора с ОЭ в h-параметрах. Аналогично можно записать систему уравнений для транзистора с ОБ, и построить его эквивалентную схему в h-параметрах. Например, эквивалентная схема для системы Н-параметров приведена на рисунке 3.9. Рисунок 3.9 Эквивалентна схема БТ в системе Н-параметров (3.29). Величина RК обратно пропорциональна значению параметра h22Б. Рис. 3.7.Упрощенная эквивалентная схема транзистора по постоянному току.входной цепи по переменному току. Рис.

3.9. К определению H- параметров в схеме с ОЭ из статических харак-тик. Из рисунка 3.9. видно Эквивалентная схема с h-параметрами — adj microel. Т-образная эквивалентная схема транзистора ОБ. ПредыдущаяСтр 4 из 8Следующая . - генератор тока (учитывает усилительные свойства транзистора). Вместо генератора тока можно использовать генератор напряжения , соединенный последовательно с Тип эквивалентной схемы и ее параметров зависит от следующих факторовФизический смысл H-параметров: Все параметры взаимосвязаны через формулы. H- параметры не отражают нелинейные свойства УЭ. Покажем, например, что П образная эквивалентная схема с генератором тока «вытекает» из уравнений транзистора в системе Y параметровЕсли известны h параметры в схеме с общим эмиттером, то проводимости гибридной эквивалентной схемы могут быть определены Эквивалентная схема биполярного транзистора в h-параметрах. Транзистор можно представить как четырехполюсник.Обычно h-параметры определяются приращением тока на напряжение. Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 2а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр. При расчетах с помощью эквивалентных схем сначала определяют токи и напряжения в самой схеме и затем переходят к другим параметрам, например к h параметрам.

Параметры и эквивалентные схемы. Дата добавления: 2015-07-23 просмотров: 1362 Нарушение авторских прав.схема транзистора, транзистора с использованием. включенного по схеме ОЭ h-параметров. Параметры и эквивалентные схемы. Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства.При любой схеме включения h-параметры связаны с собственными параметрами транзистора. Например, для схемы ОБ. При расчете транзисторных усилительных схем транзистор, как правило, заменяют его эквивалентной схемой, параметры которой получают путем линеаризации вольтамперных характеристик в заданной рабочей точке. Наиболее часто используют уравнения с h-параметрами.rк- учитывает наклон пологой части ВАХ.(105-106ом). cк- барьерная емкость.(cк<э). Эквивалентная схема для транзистора с ОЭ составляется аналогично по физической модели. Эквивалентная схема биполярного транзистора в h-параметрах. Предыдущая 2 3 4 5 678 9 10 11 Следующая .Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Принцип работы, передаточная и выходная характеристики. Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр. Рассмотрим, для примера, эквивалентную схему транзистора с ОЭ применяя h- параметры (рис.7): при коротком замыкании выходной сети (U20): h11эUбэ/Iб - входное сопротивление транзистора, h21эIк/Iб - коэффициент передачи тока Расчет параметров эквивалентной схемы биполярного транзистора. электрический схема суммирующий счетчик. Определить значения h-параметров биполярного транзистора в рабочей точке, заданной напряжениями и токами. Эквивалентная схема транзистора как четырехполюсника с h-параметрами. Со стороны внешних зажимов транзистора не измерить все внутренние физические параметры. Для этого сам транзистор рассматривают как четырехполюсник. H-параметры используются главным образом для анализа работы биполярного транзистора. Анализ осуществляется при помощи следующей эквивалентной схемы транзистора: В систему H-параметров входят следующие величины Свойства разных схем включения транзистора описывают характеристическими параметрами, называемыми h параметрами или системой h-параметров.Рис. 4 - Эквивалентная схема усилительного каскада с h - параметрами. 1.1. Физические параметры транзистора. Тогда получается наиболее часто применяемая эквивалентная схема (рис. 43б). В ней генератор тока создает ток, равный Imэ.схема транзистора, транзистора с использованием. включенного по схеме ОЭ h-параметров. Формальная эквивалентная схема замещения транзистора четырехполюсника в системе H- параметров и физический смысл дифференциальных H-параметров транзистора. Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр. Схема замещения транзистора в физических параметрах. Характеристиками транзисторов пользуются, как правило, для определения режимов работы транзисторных схем, а также для графического анализа этих схем при больших сигналах. Рассмотрим пример: эквивалентная электрическая схема транзистора с общим эмиттером.Поскольку транзистор имеет два p-n-перехода, то его вольтамперные характеристики, а значит и параметры будут сильно зависеть от температуры. Модели используют для расчета характеристик и параметров электронных схем .Например, эквивалентная схема для системы h-параметров (3.26) приведена на рисунке 3.9. Рис. 3.9. Эквивалентна схема БТ в системе h-параметров. Наименование параметра. Значение. Тема статьи: Н-параметры транзистора и их связь с параметрами физической эквивалентной схемы. Рубрика (тематическая категория). Электроника. Эквивалентная схема (схема замещения, эквивалентная схема замещения) цепи - электрическая схема, в которой все реальные элементы заменены их эквивалентными схемами. Для определения основных параметров усилительного каскада с ОЭ используем схему замещения усилителя для переменных токов на основе эквивалентной схемы транзистора в системе h-параметров. Уравнениям (4.9) соответствует эквивалентная схема (рис. 4.13). Из (4.9) вытекают смысл и наименование h-параметров: входное сопротивле- ние транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока С учетом h-параметров эквивалентная схема транзистора выглядит следующим образом (рис. 4.

7).Для схемы с общим эмиттерном h-параметры определяются из соотношений: h11э Uбэ/Iэ при Uкэ 0 Параметры эквивалентной схемы могут быть определены либо расчетным, либо экспериментальным путем.Эквивалентные схемы транзистора в h-параметрах для включения с ОЭ. Эквивалентная схема четырехполюсника с hпараметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной hпараметр. Рис 4. Связь между входными и выходными токами и напряжениями в транзисторе, представленном в виде эквивалентногоВ таблице 1 приведены сравнительные параметры этих схем включения. при копировании ссылка на этот сайт обязательна. Для расчета усилительных свойств транзистора с помощью физических эквивалентных схем необходимо знать численные значения параметров схемы, которые непосредственно измерить невозможно. Однако их можно выразить через h-параметры На рисунке 5.13 приведена эквивалентная физическая Т-образная схема с общим эмиттером, где генератор тока b Iб отражает передачу тока базы в цепь коллектора.Связь h-параметров с физическими параметрами для схемы с ОЭ имеет вид. - Эквивалентные схемы транзистора по схеме с ОБ (а), с ОЭ (б).Uвх h11 Iвх h12 Uвых. Величины этих параметров зависят от режима работы транзистора. h-параметры являются справочными параметрами транзистора. Эквивалентная схема транзистора, описанная системой Hпараметров приведена на рис.4.11.Для расчета h-параметров удобно использовать семейства входных и выходных характеристик БТ. 29. Характеристики и основные параметры ТД. Схема замещения ТД.Формальная экви-валентная схема. 40. Физическая Т-образная эквивалентная схема БТ в схеме с ОБ. Связь H-параметров БТ с элементами эквивалентной схемы. Рис. 8.8: Активная область транзистора Рис. 8.9: Эквивалентная схема активной области части СВЧ БТ Дополним полученную схему элементами, отражающими процессы протекания токов в поперечном направлении транзисторной структуры. Из сравнения физических эквивалентных схем и эквивалентных схем транзистора в h-параметрах можно найти соотношения для расчета h-параметров через параметры физических эквивалентных схем Рис. 1.2.14 Эквивалентная схема транзистора с ОЭ в h-параметрах. Аналогично можно записать систему уравнений для транзистора с ОБ, и построить его эквивалентную схему в h-параметрах. Наиболее просто h-параметры определить по статическим характеристикам транзистора. При этом частные производные токов и напряжеРис. 8. Формальная эквивалентная схема транзистора для системы h- параметров. Эквивалентные схемы и параметры биполярного транзистора (Объяснение нового материала) Схема с общим эмиттером.Эквивалентная схема БТ, система h-параметров UmБЭ h11Э ImБ h12Э UmКЭ ImК h21Э ImБ h22Э UmКЭ 22. Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства. Все параметры можно разделить на собственные (первичные) и вторичные.Эквивалентная схема с h-параметрами Эквивалентная схема. Измерение параметров.Принцип вычисления параметров схемы. В качестве примера найдем входное/выходное сопротивление и коэффициенты усиления по току и напряжению для четырёхполюсника, описанного h-параметрами. Получив расчетным или экспериментальным путем зависимости h - параметров этих схем, можно формально заменить проводимости комбинациями сосредоточенных элементов L, С, R. Таким образом, можно получить эквивалентные схемы транзистора. Из сравнения физических эквивалентных схем и эквивалентных схем транзистора в h-параметрах можно найти соотношения для расчета h-параметров через параметры физических эквивалентных схем Однако, поскольку сама по себе схема включения не может влиять на физические характеристики транзистора, почти все параметры физических эквивалентных схем остаются одними и теми же независимо от схемы включения транзистора.

Также рекомендую прочитать:



2007 - 2018 Все права защищены